沈阳工业大学图书馆书目检索系统

| 暂存书架(0) | 登录

首记录 上一条 1 / 21 下一条 尾记录 MARC状态:订购 文献类型:类型不详 浏览次数:27

题名/责任者:
氮化物宽禁带半导体材料与电子器件/郝跃, 张金风, 张进成著
出版发行项:
北京:科学出版社,2013
ISBN及定价:
978-7-03-036717-4 精装/CNY86.00
载体形态项:
303页:图;24cm
丛编项:
半导体科学与技术丛书
个人责任者:
郝跃
个人责任者:
张金风
个人责任者:
张进成
学科主题:
氮化物-半导体材料-禁带
学科主题:
氮化物-电子器件-禁带
中图法分类号:
TN304
中图法分类号:
TN103
书目附注:
有书目
提要文摘附注:
全书共14章,内容包括:氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理,HEMT材料的电学性质,AlGaN/GaN和InAlN/GaN异质结的生长和优化、材料缺陷分析,GaNHTMT器件的原理和优化、制备工艺和性能、电热退化分析,GaN增强型HEMT器件和集成电路,GaN MOS-HEMT器件,最后给出了该领域未来技术发展的几个重要方向。
全部MARC细节信息>>
此书刊没有复本
此书刊可能正在订购中或者处理中
显示全部馆藏信息
借阅趋势

同名作者的其他著作(点击查看)
用户名:
密码:
验证码:
请输入下面显示的内容
  证件号 条码号 Email
 
姓名:
手机号:
送 书 地:
收藏到: 管理书架