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- 题名/责任者:
- 高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术:key technologies/张龙, 孙伟锋, 刘斯扬等著
- 出版发行项:
- 北京:人民邮电出版社,2023.7
- ISBN及定价:
- 978-7-115-58481-6 精装/CNY149.00
- 载体形态项:
- 201页:图 (部分彩图);25cm
- 并列正题名:
- High-voltage LIGBT on thick SOI:key technologies
- 丛编项:
- 电子信息前沿专著系列
- 个人责任者:
- 张龙 著
- 个人责任者:
- 孙伟锋 著
- 个人责任者:
- 刘斯扬 著
- 学科主题:
- 厚膜-半导体功能器件-研究
- 中图法分类号:
- TN389
- 一般附注:
- “十四五”时期国家重点项目出版物出版专项规划项目 国家出版基金项目
- 责任者附注:
- 张龙, 2010年于中国矿业大学获学士学位, 2013年、2018年于东南大学分别获硕士、博士学位, 2018-2020年在东南大学从事博士后研究工作, 目前为东南大学至善青年学者, 副教授, 博士生导师, 博士论文曾入选2019年度中国电子学会优秀博士学位论文, 主要研究方向为功率半导体集成工艺及器件。孙伟锋, 2000年、2003年、2007年于东南大学分别获学士、硕士及博士学位, 目前为东南大学首席教授, 国家高层次人才, 江苏省特聘教授, 博士生导师。主要研究方向为功率半导体集成电路。刘斯扬, 2008年于合肥工业大学获学士学位, 2011年、2015年于东南大学分别获硕士、博士学位, 2015至2017年在东南大学从事博士后研究工作, 目前为东南大学青年首席教授, 国家高层次人才, 博士生导师, 博士论文曾入选2016年度中国电子学会优秀博士学位论文。主要研究方向为功率半导体集成工艺、器件及可靠性。
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书共7章: 首先介绍了厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理, 分析了器件的耐压、导通、关断原理; 然后围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的关键技术, 研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术、快速关断技术三大类技术, 分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术; 围绕高压厚膜SOI-LIGBT器件的鲁棒性, 研究了关断失效、短路失效、开启电流过冲、低温特性漂移; 最后, 探讨了厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。
- 使用对象附注:
- 本书适合功率半导体器件与集成电路领域内的科研、生产、教学人员阅读和参考
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