沈阳工业大学图书馆书目检索系统

| 暂存书架(0) | 登录

MARC状态:审校 文献类型:中文图书 浏览次数:69

题名/责任者:
纳米数字集成电路的偏差效应分析与优化:从电路级到系统级/靳松, 韩银和著
出版发行项:
北京:清华大学出版社,2019
ISBN及定价:
978-7-302-52299-7/CNY69.00
载体形态项:
181页:图;24cm
并列正题名:
Analysis and optimization on large-scale CMOS integrated circuits in the presence of parameter variability:from circuit-level to system level
个人责任者:
靳松
个人责任者:
韩银和
学科主题:
纳米材料-数字集成电路-研究
中图法分类号:
TN431.2
责任者附注:
靳松, 博士, 副教授, 硕士生导师。2007.9-2011.7在中国科学院计算技术研究所攻读博士学位。毕业后进入华北电力大学电气与电子工程学院电子与通信工程系任教。韩银和, 博士, 研究员。2006年在中国科学院计算技术研究所计算所获得博士学位, 随后进入中国科学院计算技术研究所计算机体系结构国家重点实验室工作。
书目附注:
有书目 (第169-181页)
提要文摘附注:
本文的主要内容涉及了在纳米工艺下较为严重的晶体管老化效应-负偏置温度不稳定性 (Negative bias temperature instability-NBTI) 和制造过程中引起的参数偏差。介绍了参数偏差效应产生的物理机制及对电路服役期可靠性的影响, 并提出了从电路级到系统级的相应的分析、预测和优化方法。
全部MARC细节信息>>
索书号 条码号 年卷期 馆藏地 书刊状态 还书位置
TN431.2/027 91111761  - 自然科学阅览室三     可借 自然科学阅览室三
TN431.2/027 91111762  - 自然科学阅览室三     可借 自然科学阅览室三
TN431.2/027 91111763  - 自然科学阅览室三     可借 自然科学阅览室三
显示全部馆藏信息
借阅趋势

同名作者的其他著作(点击查看)
用户名:
密码:
验证码:
请输入下面显示的内容
  证件号 条码号 Email
 
姓名:
手机号:
送 书 地:
收藏到: 管理书架