MARC状态：订购 文献类型：中文图书 浏览次数：12
- 题名/责任者:
- 宽禁带半导体功率器件:材料、物理、设计及应用/(美) 贾扬·巴利加等著 杨兵译
- 出版发行项:
- 北京:机械工业出版社,2024.1
- ISBN及定价:
- 978-7-111-73693-6/CNY149.00
- 载体形态项:
- xi, 331页, [17] 页图版:图 (部分彩图);24cm
- 其它题名:
- 材料、物理、设计及应用
- 丛编项:
- 半导体与集成电路关键技术丛书
- 丛编项:
- 微电子与集成电路先进技术丛书
- 个人责任者:
- 巴利加 (Baliga, B. Jayant) 著
- 个人次要责任者:
- 杨兵 译
- 学科主题:
- 禁带-半导体器件-研究
- 中图法分类号:
- TN303
- 出版发行附注:
- 本版由ELSEVIER INC授权机械工业出版社在中国大陆地区 (不包括香港、澳门特别行政区及台湾地区) 出版发行
- 书目附注:
- 有书目
- 提要文摘附注:
- 本书系统地讨论了第三代半导体材料SiC和GaN的物理特性, 以及功率应用中不同类型的器件结构, 同时详细地讨论了SiC和GaN功率器件的设计、制造, 以及智能功率集成中的技术细节。也讨论了宽禁带半导体功率器件的栅极驱动设计, 以及SiC和GaN功率器件的应用。最后对宽禁带半导体功率器件的未来发展进行了展望。
- 使用对象附注:
- 本书适合从事第三代半导体SiC和GaN方面相关工作的工程师、科研人员和技术管理人员阅读, 也可以作为高等院校相关专业高年级本科生和研究生的教材和参考书
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