机读格式显示(MARC)

• 000 01921nam 2200373 450

• 001 0000245936

• 005 20181019150400.0

• 010 __ |a 978-7-111-59391-1 |d CNY99.00

• 100 __ |a 20180507d2018 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a ak a 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a CMOS及其他先导技术 |A CMOS ji qi ta xian dao ji shu |e 特大规模集成电路设计 |f (美) 刘金, 科林·库恩等著 |d = CMOS and beyond |e logic switches for terascale integrated circuits |f Tsu- Jae King Liu, Kelin Kuhn |g 雷鑑铭等译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2018

• 215 __ |a X, 329页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a 电子电气工程师技术丛书 |A dian zi dian qi gong cheng shi ji shu cong shu

• 300 __ |a 华章科技

• 306 __ |a 由剑桥大学出版社与机械工业出版社合作出版

• 314 __ |a 刘金，IEEE会士，加州大学伯克利分校电气工程与计算机科学系微电子专业TSMC杰出教授。

• 314 __ |a 科林·库恩，IEEE会士，康奈尔大学Mary Upson客座教授。

• 320 __ |a 有书目

• 330 __ |a 本书概述现代CMOS晶体管的技术发展，提出新的设计方法来改善晶体管性能存在的局限性。本书共四部分。一部分回顾了芯片设计的注意事项并且基准化了许多替代性的开关器件，重点论述了具有更陡峭亚阈值摆幅的器件。第二部分涵盖了利用量子力学隧道效应作为开关原理来实现更陡峭亚阈值摆幅的各种器件设计。第三部分涵盖了利用替代方法实现更高效开关性能的器件。第四部分涵盖了利用磁效应或电子自旋携带信息的器件。

• 410 _0 |1 2001 |a 电子电气工程师技术丛书

• 500 10 |a CMOS and beyond : logic switches for terascale integrated circuits |A Cmos And Beyond : Logic Switches For Terascale Integrated Circuits |m Chinese

• 517 1_ |a 特大规模集成电路设计 |A te da gui mo ji cheng dian lu she ji

• 606 0_ |a CMOS电路 |A CMOS dian lu |x 电路设计

• 690 __ |a TN432.02 |v 5

• 701 _0 |a 刘金 |A liu jin |4 著

• 701 _1 |a 库恩 |A ku en |g (Kuhn, Kelin) |4 著

• 702 _0 |a 雷鑑铭 |A lei jian ming |4 译

• 801 _0 |a CN |b 百万庄 |c 20180507

• 905 __ |a SYUT |d TN432.02/017

• 920 __ |a 221050 |z 1